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EEPW极速时时彩 > 网络与存储 > 业界动态极速时时彩 > 国产90nm闪存量产:10万次寿命 25年数据保存

中国每年进口价值1000亿美元的,NAND及DRAM内存都要依赖进口,目前国产芯片的希望就是紫光集团在武汉及成都两处各自投资240亿美元的存储器基地了,不过真正规模量产还需要一年甚至更长时间。

本文引用地址:http://lcgwkp.com/article/201906/402016.htm

目前国内也有一些公司研发了用于特定行业的芯片,比如兆易创新的NOR闪存,其他还有一些嵌入式闪存。上海华虹半导体今天宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存( eFlash)工艺平台已成功实现量产。

根据华虹资料,华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域,通过不断的技术创新,第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%,再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP具有更明显的面积优势,使得芯片整体面积进一步减小,从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时,光罩层数也随之进一步减少,有效缩短了流片周期。而可靠性指标继续保持着高水准,可达到10万次擦写及25年数据保持能力。

近年来,华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台,在保持技术优势的同时,不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。

极速时时彩华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者,未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新,面向高密度智能卡与高端微控制器市场,同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化,将200mm现有的技术优势向300mm延伸,更好地服务国内外半导体芯片设计公司,满足市场需求。”

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关键词: 闪存 90nm 存储芯片
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